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拉普拉斯(无锡)半导体申请太阳能电池片裂片专利, 裂片方法具有更小粗糙度等优势
发布日期:2024-12-22 04:08 点击次数:114
金融界2024年12月21日消息,国家知识产权局信息显示,拉普拉斯(无锡)半导体科技有限公司申请一项名为“太阳能电池片的裂片和钝化方法裂片设备和太阳能电池”的专利,公开号CN119153579A,申请日期为2024年9月。
专利摘要显示,一种太阳能电池片的裂片方法,包括:提供太阳能电池片,太阳能电池片包括相对的上表面和下表面,在上表面或下表面上设定划片方向;采用第一激光沿划片方向进行扫描,第一激光使太阳能电池片受热产生压应力;同时采用冷却射流沿划片方向进行喷射,冷却射流使太阳能电池片受冷产生拉应力,随着第一激光和冷却射流的移动,压应力的中心和拉应力的中心沿垂直划片方向的水平方向上不重合,以使太阳能电池片沿划片方向裂开形成断面,断面倾斜连接上表面和下表面。本申请的太阳能电池片的裂片方法,断面斜向延伸,具有更小的粗糙度、无波浪纹、边缘隔离更彻底的优势。本申请还提供一种太阳能电池片的裂片和钝化方法、一种太阳能电池片和一种裂片设备。
本文源自:金融界
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